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      漏源电压BV DSS (V)(Min.):

      650

      导通(tōng)电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

      480

      导(dǎo)通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

      600

      最大(dà)漏(lòu)极电流Id(on)(A):

      7

      通(tōng)道极(jí)性(xìng):

      N沟道

      封(fēng)装/温(wēn)度(℃):

      SOT-223-2L/-55~125

      描述:

      650V,600mΩ,7A,N沟道基(jī)于(yú)超级结技术的功率MOSFET


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